Diodes推出超微型二极管

Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出首批采用超微型X3-DFN0603-2封装的产品。这批首次推出的6.0V 基纳二极管及开关二极管以0.6 x 0.3 x 0.3毫米的规格供应，比采用DFN1006-2封装的同类产品节省70%的印刷电路板空间，并降低40%的离板高度。

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X3-DFN0603-2封装可满足平板电脑、手机等轻巧便携式产品对组件微型化日益增长的需求。此外，该封装还具备高效散热设计，可达到250mW的功率耗散，亦可改善电气性能，并能通过减少引线电感来提升效率。

Diodes已率先推出包含七款采用微型封装的低漏电基纳二极管系列，它们适用于电压参考、电压调整、过压保护及受电压限制的应用。GDZ基纳二极管可提供由5.1V至8.2V的额定电压 (Nominal Voltage) ，而仅有±5% 的电压误差。

与此同时，Diodes 还推出了两款额定电压为85V的低电容 (CT≤3pF) 微型封装开关二极管。1SS361LP3具有快速开关 (tRR≤4ns) 的性能特点，而BSA116LP3的低漏电电流 (IR≤10nA) 则有助延长电池寿命。

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